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3年以内に世界で3本の指に入る研究組織を築き上げると意欲的だ。
具体的な開発テーマは、①高誘電率(目mpw)材料ゲートスタック技術、②低誘電率(円。
材料配線モジュール技術、③新構造トランジスターおよび計測解析技術、④リソグラフィ・マスク計測技術、⑤回路システム技術、となっている。
テーマ別に5つの研究開発グループを構成する。
各グループリーダーは、①Ｔ大学・Ｔ氏、②Ｈ大学・Ｙ氏、③ASET-Ｔ氏(Ｔ)、④ASET-Ｔ氏(Ｈ製作所)、⑤ASRC・Ｈ氏が務める。
前期3年間に産業界のニーズに応えた明確な成果が求められる。
研究実施拠点は、2001年度末に竣工した「つくば産官学連携研究棟」を中心に行う。
政府予算252億円を投じて延べ約2万200odで建設、クラス1のスーパークリーンルーム(300od)とクラス1000の研究用クリーンルーム(15002m)を備える。
民間の「あすかプロジェクト」も白mSoC技術の確立を目的に研究開発を実施する。
あすかが実用的なインテグレーション技術を開発するのに対し、MIRAIは科学的な視点から基礎的技術の開発に重点を置き、両者が連携しながらニッポン半導体産業の持続的発展の基盤構築を目指している。
半導体技術の微細化が進む一方、トランジスターに使われる絶縁膜の漏れ電流増大による消費電力の増大、配線遅延による処理速度の劣化が大きな問題であり、その解決が急務となっている。
また、微細加工技術、トランジスター構造、極限計測技術などでも新たなブレークスルーが求められている。
半導体ロ1ドマップが加速度を増すなか、MIRAIプロジェクトにかかる期待は大きい。
「前期3年間での成果によっては後期のプロジェクトを抜本的に見直す」(贋瀬氏)というように、最初の3年間でどこまで成果を挙げられるかが問われることになりそうだ。
DーiNプロジェクトはＯ教授がリーダー産官学共同プロジェクトとして注目される。
ロの頭文字の逆読みとプロジェクトの研究施設は仙台の地に建設される「未来AU・情報産業研究館」02001年8月には早くも建屋が完成、プロジェクトリーダーであるＯ、TH大学未来科学技術共同研究センター担当教授の陣頭指揮のもと、着々と研究開発が進められている。
同プロジェクトは、TH大学、国際科学振興財団、企業(Ｓ、ローム、Ｓ・Ｅ、Ｔエレクトロン、Ａ、Ｏ、Ｆ、Ｓ、Ｋ組)という産官学連携により実施される。
研究開発費は125億円。
このうち位億円を投じて研究館を建設する。
研究期間は2007年3月までの6年間となっている。
最重要開発課題は、「顧客ニーズ瞬時製品化技術の創出」。
半導体産業の一括投資型産業から段階投資型産業への転換を目指す。
2502mのクリーンルームで月産2500枚のラインを構築、製造スペースを従来の約4分のーに削減するとともに、高度なシステムＳＩを超短納期で生産することが可能になる。
「極限近傍まで微細化されたデバイスを完全な歩留まりで生産するには、微振動や電源電位のゆらぎ、プロセスの結果に影響を与えるすべてのパラメーターのばらつきを完全に制御する『フラクチユエーション・フリー・ファシリティー」が必要になる」とＯ教授は指摘する。
また、徹底的な省エネルギー・省資源、環境にも最大限配慮する施設となる。
さらに、同研究館では、こうした小規模フレキシブル生産ラインの構築に加え、製品システム全体を制御するソフトウエアを超短時間で開発する「ソフトウエアアクセラレータ」、シュミレーションにより製造条件を瞬時に合成する「プロセスシンセサイザ」を融合一体化する。
製品全体を制御するソフトを具現化するプロセッサーをソフトウエアアクセラレータで短時間に設計し、設計されたプロセッサーのプロセスフローとプロセス条件をプロセスシンセサイザで算出し、製造装置に入力して試作なしに生産開始するところまで技術を向上させる。
同プロジェクトでは、3次元立体構造トランジスタをベースとする超高性能ＳＩ、超高層立体積層型超ーsーといった半導体デバイスの開発に加え、高性能平板ディスプレイ用多結晶シリコンTFTも開発する。
研究館はこれら新手法・新技術を創出する舞台となり、ニッポン半導体の技術競争力強化への貢献を目指す。
スタッフは、最大120人。
Ｏ研究室から総勢約加人が参加、メンバー企業などから約制人が集結する。
また、企業人もバックアップする。
建屋規模は地下1階地上6階建延べ76362mで、112階および314階にかけて2層のクリーンルームを設置する。
クリーンルームの面積は約130od、このうち約30odで月産2500枚のラインを構築、残るスペースを研究開発用に充てる。
GAプロジェクトは、ミニライン技術実現がテーマHAーCAプロジェクトは、「高効率次世代半導体製造システム技術開発」をテーマに掲げ日本発の新しい製造ビジネスモデルを創出することを目的にスタートした。
SoC時代に必須な生産技術である高効率ミニライン構築技術と省エネルギー環境対応技術を2003年度末までに実現する。
成果をあすかプロジェクトのミニマムラインに提供し叩mライン構築の投資額削減に寄与していく。
開発期間は2001年9月12004年3月の約3年間(実質2年7カ月)。
プロジェクトリーダーはTH大学未来科学技術共同研究センター担当教授であるＯ氏。
3年間の総予算は加億円となっている。
MIRAIプロジェクトと同様にNEDOの情報通信基盤高度化プロジェクトの一環事業としてNEDOからの補助を受け行うが、それだけでなく参加企業による自主事業も同時並行で進められる。
補助事業、自主事業を含めた事業全体は、ASETのHAーCAプロジェクト推進部門が統括する。
ちなみに、2001年度の助成金は日億円となっている。
同プロジェクトの技術開発は、個別の装置開発ではなく、SoCデバイスの生産に最適なまったく新しい製造ラインシステムの開発、提供を図るとともに、ω%の省エネルギーを達成するとしている。
また、その成果は半導体製造に関する設備投資のスタイルを従来の一括投資型から段階投資型への変更を可能にする。
装置メーカーとデバイスメーカー、さらには大学が連携して研究開発を行い、新規装置開発のみならず従来とはまったく異なる一貫生産ラインのあり方を提案、実証する。
成果としての知的財産権に関しては参加した開発企業に絶対的なアドバンテージを保証しているのも特徴だ。
参加企業は、デバイスメーカー6社(Ｓ、Ｔ、Ｓ、ローム、ＳＥ、Ｓ電機)と装置メーカー4社(Ｔエレクトロン、アルパック、Ｅ製作所、大日本スクリーン製造)のほか、総合建設業3社とＴ自動車を含めたH社となっている。
具体的な研究テーマは、①高効率エネルギー利用技術および消費エネルギー-PFC削減技術、②高速昇降温炉・エッチャーにおける省エネルギー・多プロセス対応技術、③クロスコンタミフリー化技術および高精度プロセス制御技術、④機能水活用洗浄プロセスおよび塗布型円。
研究方法としては、130mによる微細加工の一貫ラインを用いてミニフアブ(小規模なラインで柔軟に多品種、少量生産のＳＩを製造するライン)および省エネルギー効果を検証する。
また、段階投資型の可能性も検証する。
さらに、1台の装置で複数プロセスに対応する装置を開発することで装置の必要台数を半分以下に削減することなども開発課題の一つ。
つくば次世代半導体研究センター内に設置される研究用クリーンルーム7502mが研究拠点となる。
ミニファブ方式でのライン設営SoCの生産システムには、需要変動にフレキシブルに対応できるミニファブラインのイメージ装置按術(ハード)生産方式(ソフト)製造装置・専用装置一人屋台的生産への革新出所。
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